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BTB772SA3_06

更新时间： 2024-11-27 06:44:27

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor

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BTB772SA3_06 数据手册

Spec. No. : C817A3-R

Issued Date : 2003.05.31

Revised Date:2006.05.15

CYStech Electronics Corp.

Page:1/4

Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor

BTB772SA3

Features

• Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.1A

• Excellent current gain characteristics

• Complementary to BTD882SA3

• Pb-free package

Symbol

Outline

BTB772SA3

TO-92

B：Base

C：Collector

E：Emitter

E C B

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VCBO

VCEO

VEBO

IC(DC)

I^C(pulse)

-50

-5

-3

-7

°C

Collector Current

(Note)

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

750

150

Tstg

-55~+150

°C

≦

Note : Single Pulse Pw 350μs, Duty 2%.

BTB772SA3

CYStek Product Specification

12 3 4

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