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BTB772T3S

更新时间： 2024-09-28 04:09:35

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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描述
Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor

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BTB772T3S 数据手册

Spec. No. : C817T3-H

Issued Date : 2002.08.18

Revised Date : 2005.09.16

Page No. : 1/4

CYStech Electronics Corp.

Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor

BTB772T3/S

Features

• Low VCE(sat), typically -0.3V at IC / IB = -2A / -0.2A

• Excellent current gain characteristics

• Complementary to BTD882T3/S

• Pb-free package is available

Equivalent Circuit

Outline

BTB772T3/S

TO-126

B：Base

C：Collector

E：Emitter

E C B

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VCBO

VCEO

-40

-30

-5

VEBO

IC(DC)

I^C(pulse)

Pd(Ta=25℃)

-3

Collector Current

-7

150

Power Dissipation

Pd(Tc=25℃)

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

Tstg

-55~+150

≦

Note : *1. Single Pulse Pw 350µs, Duty 2%

BTB772T3/S

CYStek Product Specification

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