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BTA1514N3_06

更新时间： 2024-10-02 06:44:27

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全宇昕 - CYSTEKEC		晶体晶体管
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5页	256K
描述
General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor

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BTA1514N3_06 数据手册

Spec. No. : C307N3

Issued Date : 2003.06.27

Revised Date : 2006.08.04

Page No. : 1/5

CYStech Electronics Corp.

General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor

BTA1514N3

Description

• The BTA1514N3 is designed for general purpose application requiring high breakdown voltage.

• Large I_C, I_{C( Max)}= -0.6A

• High BV_CEO, BV_CEO= -150V

• Complementary to BTC3906N3

• Pb-free package

Symbol

Outline

BTA1514N3

SOT-23

B：Base

C：Collector

E：

Emitter

Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VCBO

VCEO

VEBO

-160

-150

-5

Collector Current

-0.6

Power Dissipation

225

°C/W

°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

RθJA

Tstg

556

150

-55~+150

°C

BTA1514N3

CYStek Product Specification

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BTA151-500R	PHILIPS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 500V V(DRM),
BTA151-650R	NXP	获取价格	Thyristors sensitive gate
BTA151-800R	NXP	获取价格	Thyristors sensitive gate
BTA151-800R	PHILIPS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 800V V(DRM),
BTA151SERIES	ETC	获取价格	Thyristors sensitive gate
BTA15-200	SIRECTIFIER	获取价格	Discrete Triacs
BTA15-400	SIRECTIFIER	获取价格	Discrete Triacs
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