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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> BTA151-500R
BTA151-500R PDF预览

BTA151-500R

更新时间： 2024-10-01 22:37:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
6页 47K
描述
Thyristors sensitive gate

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BTA151-500R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：70 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us
最大直流栅极触发电流：4 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：16 mAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：500 V
重复峰值反向电压：500 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

BTA151-500R 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
sensitive gate  
BTA151 series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated, sensitive gate  
thyristors in a plastic envelope,  
intended for use in general purpose  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BTA151- 500R 650R 800R  
switching  
and  
phase  
control  
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
Repetitive peak off-state  
500  
650  
800  
V
applications.  
voltages  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
7.5  
12  
100  
7.5  
12  
100  
7.5  
12  
100  
A
A
A
IT(RMS)  
ITSM  
PINNING - SOT82  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
cathode  
anode  
gate  
a
k
2
3
g
2
3
1
tab anode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-500R -650R -800R  
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state  
voltages  
-
5001  
6501  
800  
V
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
Average on-state current half sine wave; Tmb ≤ 109 ˚C  
-
-
7.5  
12  
A
A
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
all conduction angles  
half sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 10 ms  
-
-
-
-
100  
110  
50  
A
A
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
ITM = 20 A; IG = 50 mA;  
dIG/dt = 50 mA/µs  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
A2s  
A/µs  
50  
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
2
5
12  
5
0.5  
150  
125  
A
V
V
W
W
˚C  
˚C  
VGM  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
-
-
-
-
over any 20 ms period  
-40  
-
Tj  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 1997  
1
Rev 1.200  
123456

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