Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> BT258S-800RT/R

BT258S-800RT/R

更新时间： 2024-09-24 13:05:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		可控硅
页数	文件大小	规格书
12页	73K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 8 A, 800 V, SCR

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BT258S-800RT/R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.16
其他特性：	SENSITIVE GATE	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	100 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	6 mA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.5 mA	湿度敏感等级：	1
通态非重复峰值电流：	75 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	5000 A
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	重复峰值关态漏电流最大值：	500 µA
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

BT258S-800RT/R 数据手册

BT258S-800LT

SCR logic level, high temperature

Rev. 01 — 2 September 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Passivated sensitive gate Silicon-Controlled Rectiﬁer in a SOT428 surface-mounted

plastic package

1.2 Features

I Very sensitive gate

I Direct interfacing to logic level ICs

I High operating temperature

I Direct interfacing to low-power gate

drive circuits

1.3 Applications

I General purpose switching and phase I Ignition circuits

control

I Protection circuits for Switched-Mode

I Protection circuits in lighting ballasts

Power Supplies (SMPS)

1.4 Quick reference data

I V_DRM≤ 800 V

I I_GT≤ 50 µA

I I_T(AV)≤ 5 A

I I_T(RMS)≤ 8 A

I V_RRM≤ 800 V

I I_TSM≤ 75 A (t = 10 ms)

I T_j(max)= 150 °C

2. Pinning information

Table 1.

Pinning

Description

Simpliﬁed outline

Graphic symbol

cathode (K)

anode (A)

gate (G)

sym037

mounting base; connected to anode (A)

SOT428 (DPAK)

12 3 4 5 6 7...12

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