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| Source Url Status Check Date： | 2013-06-14 00:00:00 | 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.14 |
| 其他特性： | SENSITIVE GATE | 外壳连接： | ANODE |
| 标称电路换相断开时间： | 100 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 最大维持电流： | 6 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大漏电流： | 0.5 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 65 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 5000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 8 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 500 µA |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BT258-800R,127 | NXP | BT258-800R |
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| BT258B | NXP | Thyristors logic level |
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| BT258B-500R | NXP | Thyristors logic level |
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| BT258B500RT/R | NXP | Silicon Controlled Rectifier, 8000mA I(T), 500V V(DRM) |
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| BT258B-500RT/R | NXP | BT258B-500RT/R |
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| BT258B-600R | NXP | Thyristors logic level |
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