BT138-800

更新时间： 2024-02-14 02:14:27

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恩智浦 - NXP		可控硅
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6页	52K
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Triacs

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BT138-800 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	50 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	60 mA	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	0.5 mA	最大通态电压：	1.6 V
最高工作温度：	120 °C	最大均方根通态电流：	12 A
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

BT138-800 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Triacs

BT138 series

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance

full cycle

1.5

2.0

K/W

junction to mounting base half cycle

R_{th j-a}

Thermal resistance

junction to ambient

in free air

STATIC CHARACTERISTICS

T_j= 25 ˚C unless otherwise stated

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP.

MAX.

...F

UNIT

BT138-

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A

...

...G

I_GT

Gate trigger current

Latching current

Holding current

T2+ G+

T2+ G-

T2- G-

T2- G+

100

I_L

V_D= 12 V; I_GT= 0.1 A

T2+ G+

T2+ G-

T2- G-

T2- G+

I_H

V_D= 12 V; I_GT= 0.1 A

V_T

On-state voltage

I_T= 15 A

1.4

0.7

0.4

1.65

1.5

V_GT

Gate trigger voltage

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A

V_D= 400 V; I_T= 0.1 A;

T_j= 125 ˚C

0.25

I_D

Off-state leakage current V_D= V_DRM(max)

;

0.1

0.5

T_j= 125 ˚C

DYNAMIC CHARACTERISTICS

T_j= 25 ˚C unless otherwise stated

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

TYP. MAX. UNIT

BT138-

V_DM= 67% V_DRM(max)

...

...F

...G

dV_D/dt

dV_com/dt

t_gt

Critical rate of rise of

off-state voltage

;

100

200

250

V/µs

µs

T_j= 125 ˚C; exponential

waveform; gate open

circuit

Critical rate of change of

commutating voltage

V_DM= 400 V; T_j= 95 ˚C;

I_T(RMS)= 12 A;

dI_com/dt = 5.4 A/ms; gate

open circuit

Gate controlled turn-on

time

I_TM= 16 A; V_D= V_DRM(max);

I_G= 0.1 A; dI_G/dt = 5 A/µs

September 1997

Rev 1.200

123 4 5 6

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