Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT138-600E/DG

BT138-600E/DG

更新时间： 2024-02-09 19:46:53

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恩智浦 - NXP		可控硅
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13页	192K
描述
4Q Triac

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BT138-600E/DG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	50 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	60 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.5 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	12 A
重复峰值关态漏电流最大值：	500 µA	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC	Base Number Matches：	1

BT138-600E/DG 数据手册

NXP Semiconductors

BT138-600E

4Q Triac

8. Limiting values

Table 5.

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol

V_DRM

Parameter

Conditions

Min

Max

600

Unit

repetitive peak off-state voltage

RMS on-state current

I_T(RMS)

full sine wave; T_mb≤ 99 °C; Fig. 1;

Fig. 2; Fig. 3

I_TSM

non-repetitive peak on-state

current

full sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 20 ms; Fig. 4; Fig. 5

full sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 16.7 ms

105

I²t

I²t for fusing

A²s

t_p= 10 ms; sine-wave pulse

dI_T/dt

rate of rise of on-state current

I_T= 20 A; I_G= 0.2 A; dI_G/dt = 0.2 A/µs;

T2+ G+

A/µs

I_T= 20 A; I_G= 0.2 A; dI_G/dt = 0.2 A/µs;

T2+ G-

A/µs

I_T= 20 A; I_G= 0.2 A; dI_G/dt = 0.2 A/µs;

T2- G-

I_T= 20 A; I_G= 0.2 A; dI_G/dt = 0.2 A/µs;

T2- G+

I_GM

peak gate current

peak gate power

P_GM

P_G(AV)

T_stg

T_j

°C

average gate power

storage temperature

junction temperature

over any 20 ms period

0.5

150

125

-40

BT138-600E

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Product data sheet

30 August 2013

3 / 13

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