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BT137S-800F/T3 PDF预览

BT137S-800F/T3

更新时间： 2024-02-17 21:44:16
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
6页 40K
描述
TRIAC, 800 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3

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BT137S-800F/T3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：PLASTIC, SC-63, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.18其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us最大直流栅极触发电流：25 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：20 mA
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：8 A重复峰值关态漏电流最大值：500 µA
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BT137S-800F/T3 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT137S series  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance  
full cycle  
-
-
-
-
-
75  
2.0  
2.4  
-
K/W  
K/W  
K/W  
junction to mounting base half cycle  
Rth j-a  
Thermal resistance  
junction to ambient  
pcb (FR4) mounted; footprint as in Fig.14  
STATIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP.  
MAX.  
...F  
UNIT  
BT137S-  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
...  
...G  
IGT  
Gate trigger current  
Latching current  
Holding current  
T2+ G+  
-
-
-
-
5
8
11  
30  
35  
35  
35  
70  
25  
25  
25  
70  
50  
50  
mA  
mA  
mA  
mA  
T2+ G-  
T2- G-  
50  
T2- G+  
100  
IL  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
T2+ G+  
-
-
-
-
-
7
16  
5
30  
45  
30  
45  
20  
30  
45  
30  
45  
20  
45  
60  
45  
60  
40  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
T2+ G-  
T2- G-  
T2- G+  
7
IH  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
5
VT  
On-state voltage  
IT = 10 A  
-
-
1.3  
0.7  
0.4  
1.65  
1.5  
-
V
V
V
VGT  
Gate trigger voltage  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
VD = 400 V; IT = 0.1 A;  
Tj = 125 ˚C  
0.25  
ID  
Off-state leakage current VD = VDRM(max)  
;
-
0.1  
0.5  
mA  
Tj = 125 ˚C  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
BT137S-  
VDM = 67% VDRM(max)  
...  
...F  
...G  
dVD/dt  
dVcom/dt  
tgt  
Critical rate of rise of  
off-state voltage  
;
100  
50  
200  
250  
20  
2
-
-
-
V/µs  
V/µs  
µs  
Tj = 125 ˚C; exponential  
waveform; gate open  
circuit  
Critical rate of change of  
commutating voltage  
VDM = 400 V; Tj = 95 ˚C;  
IT(RMS) = 8 A;  
-
-
-
-
10  
-
dIcom/dt = 3.6 A/ms; gate  
open circuit  
Gate controlled turn-on  
time  
ITM = 12 A; VD = VDRM(max);  
IG = 0.1 A; dIG/dt = 5 A/µs  
June 2001  
2
Rev 1.400  
123456

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