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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CUFM-X5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 430 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 120 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-CUFM-X5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 2500 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 220 ns |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 800 ns |
| 标称断开时间 (toff)： | 600 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 100 ns | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BSM300GA120DN2S | EUPEC | IGBT Power Module |
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| BSM300GA120DN2S | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 430A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SSW SENSE 1, 4 PI |
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| BSM300GA120DN2SHOSA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 430A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SSW SENSE 1, 4 PI |
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| BSM300GA160D | ETC | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 400A I(C) |
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| BSM300GA170DLC | EUPEC | IGBT-Modules |
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| BSM300GA170DN2 | EUPEC | IGBT Power Module |
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