是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LFBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | 备用内存宽度: | 8 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大待机电流: | 7e-7 A |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV2018AIP70 | BSI |
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暂无描述 | |
BS616LV2018DC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit | |
BS616LV2018DI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit | |
BS616LV2018EC55 | BSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | |
BS616LV2018ECG55 | BSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
BS616LV2018ECG70 | BSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
BS616LV2018ECP55 | BSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
BS616LV2018ECP70 | BSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
BS616LV2018EI55 | BSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | |
BS616LV2018EIG55 | BSI |
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Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |