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BR24G1MF-3AGTE2

更新时间： 2024-01-06 14:33:49
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 1828K
描述
EEPROM, 128KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 5 X 6.20 MM, 1.71 MM HEIGHT, HALOGEN FREE, SOP-8

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BR24G1MF-3AGTE2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.75
其他特性：SEATED HT-CALCULATED最大时钟频率 (fCLK)：1 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：5 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：1.71 mm
串行总线类型：I2C最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4.4 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

BR24G1MF-3AGTE2 数据手册

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BR24Gxxx-3A (128K 256K 1M)  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Vcc  
Rating  
Unit  
V
Remark  
Supply Voltage  
-0.3 to +6.5  
0.45 (SOP8)  
Derate by 4.5mW/°C when operating above Ta=25°C  
Derate by 4.5mW/°C when operating above Ta=25°C  
Derate by 3.0mW/°C when operating above Ta=25°C  
Derate by 3.3mW/°C when operating above Ta=25°C  
Derate by 3.1mW/°C when operating above Ta=25°C  
Derate by 3.1mW/°C when operating above Ta=25°C  
Derate by 3.0mW/°C when operating above Ta=25°C  
Derate by 8.0mW/°C when operating above Ta=25°C  
0.45 (SOP-J8)  
0.30 (SSOP-B8)  
0.33 (TSSOP-B8)  
0.31 (TSSOP-B8J)  
0.31 (MSOP8)  
0.30 (VSON008X2030)  
0.80 (DIP-T8)  
Power Dissipation  
Pd  
W
Storage Temperature  
Operating Temperature  
Tstg  
Topr  
-65 to +150  
°C  
°C  
-40 to +85  
The Max value of Input Voltage/Output Voltage is not over 6.5V.  
When the pulse width is 50ns or less, the Min value Input  
Voltage/Output Voltage is not lower than -1.0V.  
Input Voltage /  
Output Voltage  
‐
-0.3 to Vcc+1.0  
150  
V
Junction  
Temperature  
Tjmax  
°C  
Junction temperature at the storage condition  
Electrostatic discharge  
voltage  
VESD  
-4000 to +4000  
V
(human body model)  
Memory Cell Characteristics (Ta=25°C, Vcc=1.7V to 5.5V)  
Limit  
Typ  
-
-
Parameter  
Unit  
Min  
1,000,000  
40  
Max  
-
-
Write Cycles (1)  
Times  
Years  
Data Retention (1)  
(1) Not 100% TESTED  
Recommended Operating Ratings  
Parameter  
Power Source Voltage  
Input Voltage  
Symbol  
Vcc  
VIN  
Rating  
1.7 to 5.5  
0 to Vcc  
Unit  
V
DC Characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40°C to +85°C, Vcc =1.7V to 5.5V)  
Limit  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Input High Voltage 1  
Input Low Voltage 1  
VIH1  
VIL1  
0.7Vcc  
-0.3(2)  
-
-
Vcc+1.0  
+0.3Vcc  
V
V
IOL=3.0mA,  
2.5V≦Vcc≦5.5V (SDA)  
IOL=0.7mA,  
Output Low Voltage 1  
Output Low Voltage 2  
VOL1  
VOL2  
-
-
-
-
0.4  
0.2  
V
V
1.7V≦Vcc＜2.5V (SDA)  
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
ILI  
-1  
-1  
-
-
+1  
+1  
μA  
μA  
VIN=0 to Vcc  
ILO  
VOUT=0 to Vcc (SDA)  
VCC=5.5V, fSCL=1MHz, tWR=5ms,  
Byte write, Page write  
BR24G128/256-3A  
VCC=5.5V, fSCL=1MHz, tWR=5ms,  
Byte write, Page write  
BR24G1M-3A  
VCC=5.5V, fSCL=1MHz  
Random read, current read,  
sequential read  
VCC=5.5V, SDA・SCL=Vcc  
A0, A1, A2=GND, WP=GND  
BR24G128/256-3A  
VCC=5.5V, SDA・SCL=Vcc  
A0, A1, A2=GND, WP=GND  
BR24G1M-3A  
-
-
-
-
-
-
-
-
2.5  
4.5  
2.0  
2.0  
Supply Current (Write)  
Supply Current (Read)  
ICC1  
mA  
mA  
ICC2  
Standby Current  
ISB  
μA  
-
-
3.0  
(2) When the pulse width is 50ns or less, it is -1.0V.  
www..rohm.com  
TSZ02201-0R2R0G100020-1-2  
18.Jun.2015 Rev.006  
© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
3/36  
TSZ22111・15・001  
1234567...39

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