是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.46 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 40 A | 集电极-发射极最大电压: | 120 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-63 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 140 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 220 W | 最大功率耗散 (Abs): | 220 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 20 MHz | VCEsat-Max: | 1 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLX65 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 30V 2.5A 4-Pin CRPM |
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BLX65E | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-39, BIP RF Power |
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BLX65E | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 30V 2.5A 4-Pin CRPM |
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BLX65E | PHILIPS |
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Transistor, |
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BLX65ES | PHILIPS |
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Transistor, |
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BLX65ES | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-39, BIP RF Power |
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BLX65S | ASI |
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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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BLX65S | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 30V 2.5A 4-Pin CRPM |
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BLX69A | PHILIPS |
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Transistor, |
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BLX69A | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power |
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