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BLX60

更新时间: 2024-02-26 14:59:58
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 213K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 40A I(C) | TO-210AE

BLX60 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.46
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):40 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-63JESD-30 代码:O-MUPM-D3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:140 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:220 W最大功率耗散 (Abs):220 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):20 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

BLX60 数据手册

 浏览型号BLX60的Datasheet PDF文件第2页 

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