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BLL8H0514L-130

更新时间： 2024-02-17 20:23:00

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恩智浦 - NXP		/
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13页	935K
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RF POWER, FET

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BLL8H0514L-130 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

BLL8H0514L-130 数据手册

BLL8H0514L-130;

BLL8H0514LS-130

LDMOS driver transistor

Rev. 3 — 1 September 2015

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

130 W LDMOS transistor intended for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz

range.

Table 1.

Application information

Typical RF performance at T_case= 25 C; I_Dq= 50 mA; in a class-AB application circuit.

Test signal

t_p



V_DSP_LG_p

RL_in_DP_droop(pulse)t_r

t_f

(MHz)

(s) (%) (V) (W) (dB) (dB) (%) (dB)

(ns) (ns)

pulsed RF

960 to 1215

128 10 50

130 19

130 17

1200 to 1400 300 10 50

1.2 Features and benefits

 Easy power control

 Integrated dual side ESD protection

 High flexibility with respect to pulse formats

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (0.5 GHz to 1.4 GHz)

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

1.3 Applications

 Amplifiers for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz frequency range

12 3 4 5 6 7...13

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