5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 7.86 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电信集成电路类型： | TELECOM CIRCUIT |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BL600-SA-32 | LSTD |
获取价格 |
Single Mode Bluetooth Low Energy (BLE) Module |
|
| BL600-SC | LSTD |
获取价格 |
Single Mode Bluetooth Low Energy (BLE) Module |
|
| BL600-ST | LSTD |
获取价格 |
Single Mode Bluetooth Low Energy (BLE) Module |
|
| BL60N04D | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60A, 40V, 65W, N Channel, Power MOSFETs |
|
| BL60N25 | BELLING |
获取价格 |
BL60N25, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology |
|
| BL6122 | BELLING |
获取价格 |
BL6122 |
|
| BL6202 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V, P Channel MOSFETs |
|
| BL6202P-3DL8 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
3A, 60V, 2.5W, P Channel, Power MOSFETs |
|
| BL6202PD | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
10A, 60V, 21W, P Channel, Power MOSFETs |
|
| BL6202PDF1 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
-60V, P Channel MOSFETs |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
