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BL090N06-5DL8

更新时间: 2024-04-09 19:03:21
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical /
页数 文件大小 规格书
5页 1200K
描述
45A, 60V, 60W, N Channel, Power MOSFETs

BL090N06-5DL8 数据手册

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N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
BL090N06-5DL8  
Features  
Super low gate charge  
Green device available  
Excellent CdV / dt effect decline  
Advanced high cell density trench technology  
Mechanical Data  
Case: PDFN5×6-8L  
Molding Compound: UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Terminals: Matte tin-plated leads; solderability-per MIL-STD-202,  
Method 208  
PDFN5×6-8L  
Ordering Information  
Part Number  
Package  
PDFN5×6-8L  
Shipping Quantity  
Marking Code  
BL090N06-5DL8  
5000 pcs / Tape & Reel  
090N06  
Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
VDSS  
VGSS  
60  
±20  
45  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC = 25°C , VGS = 4.5V ) *1  
Continuous Drain Current (TC = 100°C , VGS =4.5V) *1  
Pulsed Drain Current *4 (tp10us, TC = 25°C)  
Single Pulse Avalanche Energy *3  
A
ID  
32  
A
IDM  
140  
73  
A
EAS  
mJ  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
PD  
RθJC  
TJ  
60  
W
°C /W  
°C  
Thermal Resistance Junction-to-Case *1  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
2.08  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
TSTG  
°C  
MTM0915A: September 2022 [2.1]  
www.gmesemi.com  
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