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BGU7062N2

更新时间： 2024-01-05 08:25:48

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恩智浦 - NXP		/
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16页	344K
描述
IC SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, Analog IC:Other

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BGU7062N2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	QFN	包装说明：	QCCN, LCC16,.32SQ,55
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	模拟集成电路 - 其他类型：	ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代码：	S-PQCC-N16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC16,.32SQ,55	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Analog ICs
最大供电电流 (Isup)：	250 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

BGU7062N2 数据手册

BGU7062N2

NXP Semiconductors

Analog high linearity low noise variable gain amplifier

5. Limiting values

Table 4.

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter

V_CCsupply voltage

V_ctrl(Gp)power gain control voltage

Conditions

Min Max Unit

1 +3.6

V_I(GS1)

V_I(GS2)

input voltage on pin GS1

input voltage on pin GS2

[1]

[2]

P_i(RF)CWcontinuous waveform

RF input power

high gain mode; V_ctrl(Gp)= 0 V; 1710 MHz  f  1785 MHz

low gain mode; V_ctrl(Gp)= 0 V; 1710 MHz  f  1785 MHz

dBm

T_j

junction temperature

storage temperature

150 C

T_stg

V_ESD

40 +150 C

electrostatic discharge voltage Human Body Model (HBM); according to

ANSI/ESDA-JEDEC JS-001-2010-Device Testing, Human

2

Body Model

Charged Device Model (CDM); according to JEDEC

standard 22-C101

750 V

[1] high gain mode: GS1 = LOW; GS2 = HIGH (see Table 9)

[2] low gain mode: GS1 = HIGH; GS2 = LOW (see Table 9)

6. Recommended operating conditions

Table 5.

Symbol

V_CC1

Recommended operating conditions

Parameter

Conditions

Min Typ

Max

Unit

supply voltage 1

4.75

5.25

3.3

V_CC2

supply voltage 2

V_ctrl(Gp)

V_I(GS1)

V_I(GS2)

Z₀

power gain control voltage

input voltage on pin GS1

input voltage on pin GS2

characteristic impedance

case temperature



C

T_case

40

+85

7. Thermal characteristics

Table 6.

Symbol

R_th(j-case)

Thermal characteristics

Parameter

Conditions

Typ Unit

[1]

thermal resistance from junction to case

K/W

[1] The case temperature is measured at the ground solder pad.

BGU7062N2

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Product data sheet

Rev. 1 — 8 July 2013

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