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BGU6104,147

更新时间： 2024-02-28 14:06:37

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恩智浦 - NXP		射频微波
页数	文件大小	规格书
20页	604K
描述
BGU6104 - Wideband silicon low-noise amplifier MMIC

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BGU6104,147 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SOLCC6,.08,20
针数：	SON	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.6	构造：	COMPONENT
增益：	5 dB	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	6	最大工作频率：	4000 MHz
最小工作频率：	40 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SOLCC6,.08,20	电源：	3 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	40 mA	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

BGU6104,147 数据手册

BGU6104

NXP Semiconductors

Wideband silicon low-noise amplifier MMIC

Table 8.

Dynamic characteristics …continued

T_amb= 25 C; V_CC= 3.0 V; V_ENABLE 1.2 V unless otherwise specified. All measurements done on

characterization board without matching, de-embedded up to the pins.

Symbol Parameter

150 MHz frequency

Conditions

Min Typ

Max Unit

s₂₁²

insertion power gain

f = 150 MHz

I_CC(tot)= 4 mA

I_CC(tot)= 6 mA

I_CC(tot)= 12 mA

I_CC(tot)= 20 mA

I_CC(tot)= 40 mA

f = 150 MHz

21.5

24.5

29.0

31.5

34.0

MSG

NF_min

P_L(1dB)

IP3_O

maximum stable gain

I_CC(tot)= 4 mA

I_CC(tot)= 6 mA

I_CC(tot)= 12 mA

I_CC(tot)= 20 mA

I_CC(tot)= 40 mA

f = 150 MHz

27.5

29.0

32.0

33.5

35.5

minimum noise figure

I_CC(tot)= 4 mA

I_CC(tot)= 6 mA

I_CC(tot)= 12 mA

I_CC(tot)= 20 mA

I_CC(tot)= 40 mA

0.8

0.9

1.2

output power at 1 dB gain compression f = 150 MHz

I_CC(tot)= 4 mA

1.0

1.0

dBm

I_CC(tot)= 6 mA

I_CC(tot)= 12 mA

I_CC(tot)= 20 mA

I_CC(tot)= 40 mA

f = 150 MHz

5.5

9.0

15.0

output third-order intercept point

I_CC(tot)= 4 mA

I_CC(tot)= 6 mA

I_CC(tot)= 12 mA

I_CC(tot)= 20 mA

I_CC(tot)= 40 mA

9.5

dBm

11.5

16.0

19.5

26.0

BGU6104

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Product data sheet

Rev. 2 — 3 February 2012

6 of 20

1...3 4 567 8 9...20

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