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BFS20TA

更新时间： 2024-02-27 09:16:06

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1页	49K
描述
TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND

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BFS20TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	470 MHz	Base Number Matches：	1

BFS20TA 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

VHF TRANSISTOR

BFS20

ISSUE 3 JANUARY 1996

✪

PARTMARKING DETAIL G1

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

°C

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

I_C

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

I_CBO

TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector Cut-Off

Current

100

µA

_CB=20V, I_E=0

V_CB=20V, I_E=0,

T_amb=100°C

Base-Emitter Voltage

V_BE

740

900

I_C=7mA, V_CE=10V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

Transition Frequency

f_T

275

450

0.35

0.8

MHz

I_C=5mA, V_CE=10V

f=100MHz

Feedback Capacitance C_re

Collector Capacitance C_TC

0.40

I_C=1mA, V_CE=10V

f=1MHz

I_E=I_e=0, V_CB=10V

f=1MHz

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3 - 53

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