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BFS20TRL13

更新时间: 2024-01-10 17:27:16
品牌 Logo 应用领域
国巨 - YAGEO 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

BFS20TRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.06Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.025 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):450 MHzBase Number Matches:1

BFS20TRL13 数据手册

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