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BFR92WE6327

更新时间： 2024-10-01 14:41:07

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	660K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

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BFR92WE6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.6 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.28 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR92WE6327 数据手册

BFR92W

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For broadband amplifiers up to 2 GHz and

fast non-saturated switches at collector currents

from 0.5 mA to 20 mA

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package

with visible leads

• Qualification report according to AEC-Q101 available

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFR92W

Marking

P1s

Pin Configuration

2=E 3=C

Package

SOT323

1=B

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

2.5

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

280

tot

T ≤ 90 °C

150

-55 ... 150

Junction temperature

Storage temperature

Stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

215

Unit

K/W

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For the definition of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJS

2014-04-03

12 3 4 5 6

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