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BF256C PDF预览

BF256C

更新时间： 2024-10-04 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体射频放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 26K
描述
N-Channel RF Amplifiers

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BF256C 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.54
Is Samacsys：NFET 技术：JUNCTION
JESD-609代码：e1最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)Base Number Matches：1

BF256C 数据手册

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BF256A/BF256B/BF256C  
N-Channel RF Amplifiers  
•
•
This device is designed for VHF/UHF amplifiers.  
Sourced from process 50.  
TO-92  
1
1. Gate 2. Source 3. Drain  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
DG  
-30  
V
GS  
I
10  
mA  
GF  
P
Total Device Dissipation @T =25°C  
350  
mW  
D
A
Derate above 25°C  
2.8  
mW/°C  
°C  
T
Operating and storage Temperature Range  
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Gate-Source Breakdown Voltage  
Gate-Source  
V
V
V
V
= 0, I = 1µA  
-30  
-0.5  
-0.5  
V
V
(BR)GSS  
GS  
DS  
DS  
DS  
GS  
G
= 15V, I = 200µA  
-7.5  
-8  
D
(off)  
Gate-Source Cutoff Voltage  
Gate Reverse Current  
= 15V, I = 10nA  
V
GS  
D
I
= -20V, V = 0  
-5  
nA  
GSS  
GS  
On Characteristics  
I
Zero-Gate Voltage Drain Current  
DSS  
BF256A  
BF256B  
BF256C  
V
V
= 15V, V = 0  
3
6
11  
7
13  
18  
mA  
GS  
DS  
GS  
Small Signal Characteristics  
gfs  
Common Source Forward Transconductance  
= 15V, V = 0, f = 1KHz  
4.5  
mmhos  
GS  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2003  
123

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BF256C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPF102 FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel RF Amplifier
2SK161 TOSHIBA

功能相似

 N CHANNEL JUNCTION TYPE (FM TUNER, VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS)
J308 CALOGIC

功能相似

 N-Channel JFET High Frequency Amplifier

与BF256C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BF256C(L34Z) TI

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
BF256C/D10Z TI

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
BF256C/D10Z(L34Z) TI

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, TO-92
BF256C/D10Z{L34Z} TI

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
BF256C/D11Z TI

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 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, TO-92
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 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
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