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BF245B

更新时间: 2024-10-03 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 100K
描述
N-channel silicon field-effect transistors

BF245B 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67Is Samacsys:N
FET 技术:JUNCTION最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

BF245B 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BF245A; BF245B; BF245C  
N-channel silicon field-effect  
transistors  
Product specification  
1996 Jul 30  
Supersedes data of April 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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