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BD810

更新时间： 2024-01-07 12:16:14

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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1页	127K
描述
Silicon PNP Transistors

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BD810 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	90 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1.5 MHz	Base Number Matches：	1

BD810 数据手册

Power Transistors

www.jmnic.com

BD810

Silicon PNP Transistors

ꢀFeatures

B C E

﹒Designed for use in high power audio amplifiers utilizing

complementary or quasi complementary circuits.

﹒With TO-220 package

ꢀAbsolute Maximum Ratings Tc=25

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_B

PARAMETER

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Base collector current

Collector current

RATING

UNIT

5.0

6.0

I_C

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

-55~150

T_stg

TO-220

ꢀElectrical Characteristics Tc=25

SYMBOL

PARAMETER

Collector-base cut-off current

Emitter-base cut-off current

CONDITIONS

V_CB=80V; I_E=0

MIN

TYPE

MAX

1.0

UNIT

I_CBO

I_EBO

V_EB=5.0V; I_C=0

2.0

I_CEO

V_CBO

Collector-emitter cut-off current

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

V_(BR)ceo

I_C=0.1A; I_B=0

V_EBO

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltages

V_CE(sat-1)

V_CE(sat-2)

I_C=3A; I_B=0.3A

1.1

1.6

h_FE-1

h_FE-2

h_FE-3

V_BE(on)1

V_BE(on)2

f_T

Forward current transfer ratio

Base-emitter on voltages

Transition frepuency

I_C=2A; V_CE=2V

I_C=4A; V_CE=2V

V_CE=10V ;I_C=1A;f=1MHz

1.5

MHz

C_ob

Output Capacitance

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