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BD810AF

更新时间： 2024-10-01 18:53:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
59页 347K
描述
10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BD810AF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1.5 MHzBase Number Matches：1

BD810AF 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
*Motorola Preferred Device  
10 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi  
complementary circuits.  
•
•
DC Current Gain — h = 30 (Min) @ I = 2.0 Adc  
FE C  
BD 808, 810 are complementary with BD 807, 890  
60, 80 VOLTS  
90 WATTS  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Type  
Value  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
V
V
V
BD808  
BD810  
60  
80  
Vdc  
CEO  
CBO  
EBO  
Collector–Base Voltage  
BD808  
BD810  
70  
80  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Base Current  
5.0  
10  
Vdc  
Adc  
Adc  
I
C
I
B
6.0  
Total Device Dissipation T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
90  
720  
Watts  
mW/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
1.39  
C/W  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Type  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage*  
BV  
BD808  
BD810  
60  
80  
—
—
Vdc  
CEO  
(I = 0.1 Adc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
I
mAdc  
mAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 70 Vdc, I = 0)  
E
BD808  
BD810  
—
—
1.0  
1.0  
= 80 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
I
—
2.0  
EBO  
BE  
C
DC Current Gain  
(I = 2.0 A, V  
(I = 4.0 A, V  
C
h
FE  
= 2.0 V)  
CE  
= 2.0 V)  
CE  
30  
15  
—
—
C
Collector–Emitter Saturation Voltage*  
(I = 3.0 Adc, I = 0.3 Adc)  
V
—
1.1  
1.6  
—
Vdc  
Vdc  
MHz  
CE(sat)  
C
B
Base–Emitter On Voltage*  
(I = 4.0 Adc, V = 2.0 Vdc)  
V
BE(on)  
—
C
CE  
Current–Gain Bandwidth Product  
f
T
1.5  
(I = 1.0 Adc, V  
C CE  
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)  
* Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
3–206  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...59

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与BD810AF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD810AJ ONSEMI

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD810AJ MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD810AK ONSEMI

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD810AN ONSEMI

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD810AS ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BD810AU ONSEMI

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD810BA ONSEMI

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD810BC ONSEMI

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 		TRANSISTOR 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BD810BD ONSEMI

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 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD810BG ONSEMI

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 		TRANSISTOR 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu

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