5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BD537K
BD537K PDF预览

BD537K

更新时间： 2024-02-05 23:19:37
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 28K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB

阅读下载

获取价格

BD537K 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.42Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：50 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：12 MHz
Base Number Matches：1

BD537K 数据手册

 浏览型号BD537K的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BD537K的Datasheet PDF文件第3页 
BD533, BD535, BD537  
BD534, BD536, BD538  
Base current  
Total power dissipation up to T = 25°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
I
P
T
T
max.  
max.  
max.  
1.0  
50  
150  
A
W
°C  
B
C
tot  
j
–65 to +150  
ºC  
stg  
THERMAL RESISTANCE  
From junction to case  
From junction to ambient  
R
R
2.5  
70  
°C/W  
°C/W  
th j–c  
th j–a  
CHARACTERISTICS  
T
amb  
= 25°C unless otherwise specified  
533 535 537  
534 536 538  
Collector cutoff current  
I
= 0; V = 45 V  
I
I
I
I
I
I
max. 100  
–
100  
–
–
100  
–
–
–
µA  
µA  
E
CB  
= 0; V = 60 V  
CBO  
CBO  
CBO  
CES  
CES  
CES  
I
max.  
max.  
–
–
E
CB  
I
= 0; V = 80 V  
100 µA  
–
–
E
CB  
V
V
V
= 0; V = 45V  
max. 100  
µA  
µA  
BE  
BE  
BE  
CE  
= 0; V = 60V  
max.  
max.  
–
–
CE  
= 0; V = 80V  
100 µA  
CE  
Emitter cut-off current  
I
= 0; V = 5 V  
I
max.  
1.0  
60  
60 100  
5.0  
mA  
C
EB  
Breakdown voltages  
= 100 mA; I = 0  
EBO  
I
V
V
V
*
min. 45  
min. 45  
min.  
80  
V
V
V
C
B
CEO(sus)  
CBO  
I
= 1 mA; I = 0  
C
E
I
E
= 1 mA; I = 0  
C
EBO  
Saturation voltages  
I
I
C
= 2.0 A; I = 0.2 A  
V
CEsat  
V
CEsat  
*
*
max.  
typ.  
0.8  
0.8  
V
V
C
B
= 6.0 A; I = 0.6 A  
B
Base-emitter on voltage  
I
= 2A; V = 2V  
V
*
max.  
1.5  
V
C
CE  
D.C. current gain  
= 10mA; V  
BE(on)  
I
C
= 5V  
= 2V  
h
h
h
*
*
*
min. 20  
min.  
20  
40  
25  
15  
15  
CE  
FE  
FE  
FE  
I
C
= 500mA; V  
CE  
I
C
= 2A; V  
= 2V  
min. 25  
CE  
Transition frequency  
I
C
= 500 mA; V  
= 1V  
f
T
min.  
3.0  
MHz  
CE  
h
Groups:  
FE  
I
C
= 2A; V  
= 2V  
J
min.  
max.  
30  
75  
CE  
I
= 3A; V  
= 2A; V  
= 2V  
= 2V  
min.  
15  
C
CE  
CE  
I
C
K
min.  
max.  
40  
100  
I
C
= 3A; V  
= 2V  
min.  
20  
CE  
* Pulsed: pulse duration = 300 µs; duty cycle = 1.5%.  
Continental Device India Limited  
Data Sheet  
Page 2 of 3  
123

下载PDF

与BD537K相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BD537K-6200 RENESAS Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

获取价格
BD537K-6203 RENESAS 8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

获取价格
BD537K-6226 RENESAS 8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

获取价格
BD537K-6255 RENESAS Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

获取价格
BD537K-6258 RENESAS Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

获取价格
BD537K-6261 RENESAS Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

获取价格

与BD537K相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证