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BD5310G-2M

更新时间： 2023-09-03 20:24:53

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罗姆 - ROHM		电容器
页数	文件大小	规格书
23页	2305K
描述
罗姆的延迟时间自由设置型CMOS电压检测器IC系列是内置了采用CMOS工艺的高精度、低消耗电流延迟电路的CMOS RESET IC系列。可通过外接电容器设定延迟时间。为保证客户可根据应用进行选择，备有Nch漏极开路输出(BD52xx-2M)系列和CMOS输出(BD53xx-2M)系列产品。备有检测电压为0.9V～5.0V的0.1V阶跃的产品阵容。在-40°C到105°C的整个工作温度范围内，将延迟时间精度控制在±30%内。

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BD5310G-2M 数据手册

BD52xx-2M Series BD53xx-2M Series

Electrical Characteristics (Unless otherwise specified Ta=-40°C to +105°C, VDD=0.8V to 6V)

Limit

Parameter

Symbol

Condition

Unit

Min

V_DET(T)

×0.98

-0.012

V_DET(T)

×0.975

Typ

Max

V_DET(T)

×1.02

+0.012

V_DET(T)

×1.025

V_DET(T)

V_DET=0.9V to 1.6V, VDD=HL, RL=100kΩ

V_DET=1.7V to 5.0V, VDD=HL, RL=100kΩ

DetectionVoltage

V_DET

V_DET(T)

V_DET

×0.07

1.00

1.10

HysteresisVoltage

∆V_DETV_DD=LHL, RL=100kΩ

×0.03

×0.05

0.23

Circuit Current when ON

Circuit Current when OFF

Operating Voltage Range

I_DD1V_DD= V_DET-0.2V

µA

0.27

I_DD2V_DD= V_DET+0.5V

V_OPLV_OL≤0.4V, Ta=-40°C to 105°C, RL=100kΩ

V_DD=0.8V, ISINK = 0.17mA, V_DET=0.9V to 1.6V

0.80

0.4

“Low” Output Voltage (Nch)

V_OL

V_DD=1.2V, ISINK = 1.0mA, V_DET=1.7V to 5.0V

V_DD=2.4V, ISINK = 2.0mA, V_DET=2.7V to 5.0V

V_DD=4.8V, ISOURCE=2.0mA,

V_DET(0.9V to 4.2V)

0.4

V_DD-0.4

V_OH

“High” Output Voltage (Pch)

V_DD=6.0V, ISOURCE=2.5mA,

V_DET(0.9V to 5.0V)

V_DD-0.4

Output Leak Current (BD52xx) I_LEAKV_DD= V_DS=6V

1.0

72.1

µA

_OUT＝GND→50%, CT=0.01μF

Delay Time (L → H)

t_PLH

38.9

55.5

Note 1 Note 2

V_DET(T) : Standard Detection Voltage(0.9V to 5.0V, 0.1V step)

R_L: Pull-up resistor to be connected between V_OUTand power supply.

Note 1 t_PLH: V_DD=(V_DET(T)–0.1V) → (V_DET(T)+0.5V) for V_DET=0.9V to 1.2V

t_PLH: V_DD=(V_DET(T)–0.5V) → (V_DET(T)+0.5V) for V_DET=1.3V to 5.0V

Note 2 CT delay capacitor range: open to 4.7µF.

www.rohm.com

TSZ02201-0GIG0G300010-1-2

05.Jul.2018 Rev.002

4/20

TSZ22111・15・001

1 2 345 6 7...23

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