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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD506N | SHUNYE |
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50 AMP BLOCK DIODES |
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| BD506N | THINKISEMI |
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50 Ampere Standard Type Negative Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators |
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| BD506P | SHUNYE |
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50 AMP BLOCK DIODES |
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| BD506P | THINKISEMI |
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50 Ampere Standard Type Negative Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators |
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| BD507 | MOTOROLA |
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NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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| BD508 | MOTOROLA |
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PNP silicon annlar transistors |
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| BD508AF | ETC |
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with to-3PFa package,high voltage,Silicon NPN Power Transistors |
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| BD508AW | ETC |
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with to-247 package,Silicon NPN Power Transistors,high speed switching,high voltage |
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| BD508DF | ETC |
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Silicon NPN Power Transistors,Built-in damper diode, APPLICATIONS:for use in horizontal |
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| BD509 | MOTOROLA |
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NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
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