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BD509

更新时间: 2024-01-16 06:03:04
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
NPN SILICON ANNULAR TRANSISTORS

BD509 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.9Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):2 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

BD509 数据手册

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