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BD244B

更新时间： 2024-11-25 22:48:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 143K
描述
POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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BD244B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.26
其他特性：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：65 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD244B 数据手册

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by BD243B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.  
•
Collector – Emitter Saturation Voltage —  
= 1.5 Vdc (Max) @ I = 6.0 Adc  
Collector Emitter Sustaining Voltage —  
V
CE(sat)  
C
•
V
V
= 80 Vdc (Min) — BD243B, BD244B  
= 100 Vdc (Min) — BD243C, BD244C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
*Motorola Preferred Device  
•
•
High Current Gain Bandwidth Product  
f
= 3.0 MHz (Min) @ I = 500 mAdc  
T
C
6 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
Compact TO–220 AB Package  
MAXIMUM RATINGS  
80–100 VOLTS  
65 WATTS  
BD243B  
BD244B  
BD243C  
BD244C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
5.0  
EB  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
6
10  
C
Base Current  
I
B
2.0  
Adc  
Total Device Dissipation  
P
Watts  
D
@ T = 25 C  
65  
0.52  
C
Derate above 25 C  
W/ C  
C
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
–65 to +150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.92  
C/W  
θJC  
80  
60  
40  
20  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
C)  
140  
160  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

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BD244B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD244A ONSEMI

类似代替

 PNP外延硅晶体管
BD244BG ONSEMI

类似代替

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
BD244B FAIRCHILD

功能相似

 Medium Power Linear and Switching Applications

与BD244B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD244B16 MOTOROLA

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 		6 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244B16A MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD244B-6200 RENESAS

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 		7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244B-6203 RENESAS

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 		7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244B-6226 RENESAS

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 		7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244B-6255 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD244B-6258 RENESAS

获取价格

 		7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244B-6261 RENESAS

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 		7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD244B-6263 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD244B-6264 RENESAS

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 		7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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