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BD241B

更新时间： 2025-07-28 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
3页 31K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD241B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.34最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

BD241B 数据手册

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BD241/A/B/C  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD242/A/B/C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BD241  
45  
60  
80  
V
V
V
V
: BD241A  
: BD241B  
: BD241C  
100  
Collector-Emitter Voltage  
CER  
: BD241  
55  
70  
90  
V
V
V
V
: BD241A  
: BD241B  
: BD241C  
115  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
5
V
A
EBO  
I
3
C
I
I
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
A
CP  
B
1
40  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD241  
I = - 30mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: BD241A  
: BD241B  
: BD241C  
100  
I
Collector Cut-off Current : BD241/A  
: BD241B/C  
V
V
= 30V, I = 0  
= 60V, I = 0  
B
0.3  
0.3  
mA  
mA  
CEO  
CE  
CE  
B
I
Collector Cut-off Current : BD241  
V
V
V
V
= 45V, V = 0  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
mA  
mA  
mA  
mA  
CES  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD241A  
: BD241B  
: BD241C  
= 60V, V = 0  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
= 100V, V = 0  
BE  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V, I = 1A  
25  
10  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 3A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
I = 3A, I = 0.6A  
1.2  
1.8  
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
= 4V, I = 3A  
BE  
CE C  
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle≤2% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

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与BD241B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD241B-6200 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD241B-6203 RENESAS

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 		5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD241B-6226 RENESAS

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 		5A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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