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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD239C
BD239C PDF预览

BD239C

更新时间： 2024-09-29 22:39:31
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
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3页 31K
描述
Medium Power Linear and Switching Applications

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BD239C 数据手册

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BD239/A/B/C  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD240/A/B/C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: BD239  
45  
60  
80  
V
V
V
V
: BD239A  
: BD239B  
: BD239C  
100  
V
Collector-Emitter Voltage  
CER  
: BD239  
55  
70  
90  
V
V
V
V
: BD239A  
: BD239B  
: BD239C  
115  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
5
V
A
EBO  
I
2
C
I
I
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
4
0.6  
A
CP  
B
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
30  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD239  
I
= 30mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: BD239A  
: BD239B  
: BD239C  
100  
I
Collector Cut-off Current  
: BD239/A  
CEO  
V
V
= 30V, I = 0  
= 60V, I = 0  
B
0.3  
0.3  
mA  
mA  
CE  
CE  
B
: BD239B/C  
I
Collector Cut-off Current  
: BD239  
CES  
V
V
V
V
= 45V, V = 0  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
mA  
mA  
mA  
mA  
CE  
CE  
CE  
CE  
BE  
: BD239A  
: BD239B  
: BD239C  
= 60V, V = 0  
BE  
= 80V, V = 0  
BE  
= 100V, V = 0  
BE  
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V, I = 0.2A  
40  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 1A  
C
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter ON Voltage  
I
= 1A, I = 0.2A  
0.7  
1.3  
V
V
CE  
C
B
V
(on)  
V
= 4V, I = 1A  
CE C  
BE  
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle≤2.0% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

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BD239C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BD243CG ONSEMI

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TIP29CG ONSEMI

功能相似

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
TIP31CG ONSEMI

功能相似

 Complementary Silicon Plastic Power Transistors

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD239C_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		NPN power transistor
BD239C16 MOTOROLA

获取价格

 		2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239C16A MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BD239C-6200 RENESAS

获取价格

 		4A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239C-6203 RENESAS

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BD239C-6226 RENESAS

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 		4A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD239C-6255 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BD239C-6258 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BD239C-6261 RENESAS

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