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BD166

更新时间： 2024-09-28 22:39:31
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

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BD166 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.85
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-225AAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：20 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BD166 数据手册

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by BD166/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
1.5 AMPERE  
POWER TRANSISTOR  
PNP SILICON  
45 VOLTS  
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi  
complementary circuits.  
20 WATTS  
•
•
DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 0.15 Adc  
FE C  
BD166 is complementary with BD165  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
45  
5.0  
1.5  
0.5  
I
C
Base Current  
I
B
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
1.25  
10  
Watts  
mW/ C  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
20  
160  
Watts  
mW/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
100  
Unit  
C/W  
C/W  
CASE 77–08  
TO–225AA TYPE  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
θ
θ
JC  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage*  
V
45  
—
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 0.1 Adc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 45 Vdc, I = 0)  
I
—
—
0.1  
1.0  
mAdc  
mAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
BE  
C
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 0. 15 A, V  
= 2.0 V)  
CE  
= 2.0 V)  
40  
15  
—
—
C
(I = 0.5 A, V  
C
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage*  
V
—
0.5  
0.95  
—
Vdc  
Vdc  
MHz  
CE(sat)  
(I = 0.5 Adc, I = 0.05 Adc)  
C
B
Base–Emitter On Voltage*  
(I = 0.5 Adc, V = 2.0 Vdc)  
V
BE(on)  
—
C
CE  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
T
6.0  
(I = 500 mAdc, V  
C
= 2.0 Vdc,  
CE  
f = 1.0 MHz)  
* Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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