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BD136-16

更新时间： 2024-02-24 14:34:26

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
8页	48K
描述
PNP power transistors

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BD136-16 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.65	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

BD136-16 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP power transistors

BD136; BD138; BD140

PACKAGE OUTLINE

Plastic single-ended leaded (through hole) package; mountable to heatsink, 1 mounting hole; 3 leads SOT32

2.5

scale

5 mm

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

(1)

UNIT

max

2.7

2.3

0.88

0.65

0.60

0.45

11.1

10.5

7.8

7.2

16.5

15.3

1.5

0.9

3.2

3.0

3.9

3.6

2.54

4.58

2.29

0.254

Note

1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.

REFERENCES

OUTLINE

EUROPEAN

PROJECTION

ISSUE DATE

VERSION

IEC

JEDEC

EIAJ

97-03-04

SOT32

TO-126

1999 Apr 12

1 2 3 456 7 8

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与BD136-16相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD136-16-BP	MCC	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti	获取价格
BD136-16-BP-HF	MCC	Power Bipolar Transistor,	获取价格
BD136-16LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti	获取价格
BD13616S	FAIRCHILD	PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),	获取价格
BD13616S	ONSEMI	1.5 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor	获取价格
BD13616STU	FAIRCHILD	PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD),	获取价格