BD13616STU

更新时间： 2024-02-13 18:00:28

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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4页	44K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 1920/RAIL

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BD13616STU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD13616STU 数据手册

BD136/138/140

Medium Power Linear and Switching

Applications

•

Complement to BD135, BD137 and BD139 respectively

TO-126

1. Emitter 2.Collector 3.Base

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

: BD136

: BD138

: BD140

- 45

- 60

- 80

CBO

: BD136

: BD138

: BD140

- 45

- 60

- 80

CEO

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Base Current

- 5

- 1.5

EBO

- 3.0

- 0.5

Collector Dissipation (T =25°C)

12.5

°C

Collector Dissipation (T =25°C)

1.25

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

(sus)

* Collector-Emitter Sustaining Voltage

CEO

: BD136

: BD138

: BD140

I = - 30mA, I = 0

- 45

- 60

- 80

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

* DC Current Gain

= - 30V, I = 0

- 0.1

- 10

µA

CBO

EBO

= - 5V, I = 0

= - 2V, I = - 5mA

FE1

FE2

FE3

= - 2V, I = - 0.5A

= - 2V, I = - 150mA

250

- 0.5

- 1

(sat)

(on)

* Collector-Emitter Saturation Voltage

* Base-Emitter ON Voltage

I = - 500mA, I = - 50mA

= - 2V, I = - 0.5A

* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed

Classificntion

Classification

100 ~ 250

40 ~ 100

63 ~ 160

FE3

Rev. A, February 2000

12 3 4

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与BD13616STU相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD136-25	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-126	获取价格
BD1366	FAIRCHILD	Medium Power Linear and Switching Applications	获取价格
BD136-6	INFINEON	PNP SILICON TRANSISTORS	获取价格
BD136-6	UTC	Transistor	获取价格
BD136-6-BP	MCC	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti	获取价格
BD136-6-BP-HF	MCC	Power Bipolar Transistor,	获取价格