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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.65 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 160 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BD136-16-BP | MCC | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD136-16-BP-HF | MCC | Power Bipolar Transistor, |
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| BD136-16LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD13616S | FAIRCHILD | PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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| BD13616S | ONSEMI | 1.5 A, 45 V PNP Power Bipolar Junction Transistor |
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| BD13616STU | FAIRCHILD | PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), |
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