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BCW66G

更新时间： 2024-02-27 14:29:38
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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BCW66G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.01Is Samacsys：N
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：170 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

BCW66G 数据手册

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BCW66G  
NPN General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for general purpose amplifier applications at  
collector currents to 500mA.  
3
•
Sourced from process 13.  
2
SOT-23  
Mark: EG  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings * T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
45  
CEO  
75  
V
CBO  
EBO  
5
V
I
- Continuous  
1
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ +150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
75  
45  
5
Typ. Max. Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 10µA  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= 10mA  
= 10µA  
I
V
V
= 45V, I = 0  
20  
20  
20  
nA  
µA  
nA  
CES  
CB  
CB  
E
= 45V, I = 0  
E
T = 150°C  
A
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= 4V  
EBO  
EB  
h
V
V
V
V
= 10V, I = 100µA  
50  
110  
160  
60  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 10mA  
C
= 1V, I = 100mA  
400  
C
= 2V, I = 500mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 100mA, I = 10mA  
0.3  
0.7  
V
CE  
C
C
B
= 500mA, I = 50mA  
B
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
= 500mA, I = 50mA  
2
V
pF  
BE  
C
B
C
C
V
V
V
= 10V, f = 1MHz  
= 0.5V, f = 1MHz  
12  
80  
obo  
ibo  
CB  
EB  
CE  
Input Capacitance  
pF  
f
Current gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 20mA,  
100  
MHz  
T
C
f = 100MHz  
NF  
Noise Figure  
V
= 5V, I = 0.2mA, R = 1kΩ,  
10  
dB  
ns  
CE  
C
S
f = 1KHz, BW = 200Hz  
t
t
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
I
I
= I = 15mA  
100  
400  
on  
B1  
B2  
= 150mA, R = 150Ω  
C
L
off  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2002  
1234

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