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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BCR5PM-12LA
BCR5PM-12LA PDF预览

BCR5PM-12LA

更新时间： 2024-02-15 04:52:50
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可控硅
页数 文件大小 规格书
8页 105K
描述
Triac Medium Power Use

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BCR5PM-12LA 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.21Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE换向电压的临界上升率-最小值：5 V/us
最大直流栅极触发电流：20 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大漏电流：2 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：5 A
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

BCR5PM-12LA 数据手册

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BCR5PM-12LA  
Preliminary  
Holding Current vs.  
Junction Temperature  
Latching Current vs.  
Junction Temperature  
102  
7
103  
7
+
–
+
–
V
D
= 12V  
T
T
, G  
, G  
2
2
Typical Example  
5
5
3
2
Distribution  
Distribution  
3
2
–
+
, G  
2
T
102  
7
Typical Example  
Typical Example  
5
3
2
101  
7
101  
7
5
3
2
5
3
2
100  
100  
–60 –40–20  
0
20 40 60 80 100 120 140  
–60 –40–20  
0
20 40 60 80 100 120 140  
Junction Temperature (°C)  
Junction Temperature (°C)  
Breakover Voltage vs.  
Junction Temperature  
Breakover Voltage vs.  
Rate of Rise of Off-State Voltage  
160  
140  
120  
100  
80  
160  
140  
120  
100  
80  
Typical Example  
Typical Example  
Tj = 125°C  
III Quadrant  
60  
60  
40  
40  
I Quadrant  
20  
20  
0
0
101  
2
3
5 7102  
2
3
5 7103  
2 3  
5 7104  
–60 –40–20  
0
20 40 60 80 100 120 140  
Junction Temperature (°C)  
Rate of Rise of Off-State Voltage (V/μs)  
Gate Trigger Current vs.  
Gate Current Pulse Width  
Commutation Characteristics  
7
5
103  
7
5
Time  
Typical Example  
Tj = 125°C  
Main Voltage  
(dv/dt)c  
Main Current  
Typical Example  
I
V
D
RGT III  
I = 4A  
T
3
2
(di/dt)c  
Time  
I
T
τ = 500μs  
τ
3
2
I
RGT I  
V
D
= 200V  
f = 3Hz  
101  
7
5
102  
7
I Quadrant  
I
FGT I  
5
3
2
Minimum  
Characteristics  
Value  
3
2
100  
III Quadrant  
5 7 101  
7
101  
100  
2
3
2
3
5 7 102  
100  
2
3
5 7 101  
2
3
5 7 102  
Rate of Decay of On-State  
Gate Current Pulse Width (μs)  
Commutating Current (A/ms)  
R07DS0100EJ0300 Rev.3.00  
Sep 13, 2010  
Page 5 of 7  
12345678

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