BCR512

更新时间： 2024-01-21 22:16:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体开关小信号双极晶体管数字晶体管光电二极管驱动
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4页	39K
描述
NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit)

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BCR512 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCR512 数据手册

BCR 512

Total power dissipation P = f (T *;T )

tot

* Package mounted on epoxy

400

P_tot

T_S

300

250

200

150

100

T_A

100 120 °C 150

T_A,T_S

Permissible Pulse Load R

= f(t )

Permissible Pulse Load P

/ P = f(t )

totDC p

thJS

totmax

10 ³

K/W

10 ⁴

R_thJS

10 ²

P_totmax/P_totDC

10 ³

D = 0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

10 ¹

10 ²

10 ¹

10 ⁰

0.2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D = 0

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-6

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1s 10 ⁰

t_p

10 ^-6

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1s 10 ⁰

t_p

Semiconductor Group

Nov-27-1996

1 2 34

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