BCR179T

更新时间： 2024-01-23 07:35:36

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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PNP Silicon Digital Transistor

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BCR179T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SC-75, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BCR179T 数据手册

BCR179.../SEMB4

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

i(on)

100

Collector current

Total power dissipation

tot

BCR179F, T ≤ 128°C

250

BCR179L3, T ≤ 135°C

BCR179T, T ≤ 109°C

SEMB4, T ≤ 75°C

150

150 ... -65

°C

Junction temperature

Storage temperature

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

Unit

K/W

thJS

BCR179F

BCR179L3

BCR179T

SEMB4

≤ 90

≤ 60

≤ 109

≤ 300

For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

May-17-2004

123 4 5 6 7

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