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BCR16PM-12LD

更新时间： 2024-02-04 07:20:00
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可控硅
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
Triac Medium Power Use

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BCR16PM-12LD 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.19其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大漏电流：2 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：16 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

BCR16PM-12LD 数据手册

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BCR16PM-12LD  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Conditions  
RMS on-state current  
Surge on-state current  
I2t for fusing  
IT (RMS)  
16  
A
Commercial frequency, sine full wave  
360° conduction, Tc = 60°C  
ITSM  
I2t  
96  
38  
A
60Hz sinewave 1 full cycle, peak value,  
non-repetitive  
A2s  
Value corresponding to 1 cycle of half  
wave 60Hz, surge on-state current  
Peak gate power dissipation  
Average gate power dissipation  
Peak gate voltage  
PGM  
PG (AV)  
VGM  
IGM  
5
W
W
V
0.5  
10  
2
Peak gate current  
A
Junction temperature  
Storage temperature  
Mass  
Tj  
– 40 to +150  
– 40 to +150  
2.0  
°C  
°C  
g
Tstg  
—
Typical value  
Isolation voltage  
Viso  
1500  
V
Ta = 25°C, AC 1 minute,  
T1·T2·G terminal to case  
Notes: 1. Gate open.  
Electrical Characteristics  
Parameter  
Repetitive peak off-state current  
On-state voltage  
Symbol  
IDRM  
Min.  
Typ.  
—
Max.  
2.0  
Unit  
mA  
V
Test conditions  
—
—
Tj = 125°C, VDRM applied  
VTM  
—
1.75  
Tc = 25°C, ITM = 25 A,  
Instantaneous measurement  
Gate trigger voltageNote2  
Ι
ΙΙ  
ΙΙΙ  
Ι
VFGT  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.5  
1.5  
1.5  
50  
V
V
Tj = 25°C, VD = 6 V, RL = 6 Ω,  
RG = 330 Ω  
Ι
VRGT  
Ι
VRGT  
V
ΙΙΙ  
Gate trigger currentNote2  
IFGT  
mA  
mA  
mA  
Tj = 25°C, VD = 6 V, RL = 6 Ω,  
RG = 330 Ω  
Ι
ΙΙ  
ΙΙΙ  
IRGT  
50  
Ι
IRGT  
50  
ΙΙΙ  
Gate non-trigger voltage  
Thermal resistance  
VGD  
0.2  
—
—
—
—
—
4.1  
—
V
Tj = 125°C, VD = 1/2 VDRM  
Junction to caseNote3  
Tj = 125°C  
Rth (j-c)  
(dv/dt)c  
°C/W  
V/µs  
Critical-rate of rise of off-state  
commutating voltageNote4  
10  
Notes: 2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.  
3. The contact thermal resistance Rth (c-f) in case of greasing is 0.5°C/W.  
4. Test conditions of the critical-rate of rise of off-state commutating voltage is shown in the table below.  
Commutating voltage and current waveforms  
Test conditions  
(inductive load)  
1. Junction temperature  
Time  
Supply Voltage  
Tj = 125°C  
(di/dt)c  
2. Rate of decay of on-state commutating current  
(di/dt)c = – 8 A/ms  
Time  
Time  
Main Current  
Main Voltage  
3. Peak off-state voltage  
VD = 400 V  
(dv/dt)c  
V
D
REJ03G1562-0100 Rev.1.00 Jul 06, 2007  
Page 2 of 7  
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