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BCR16CS-12LA

更新时间： 2024-01-02 22:49:24

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瑞萨 - RENESAS		可控硅
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7页	115K
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Triac Medium Power Use

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BCR16CS-12LA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	换向电压的临界上升率-最小值：	1 V/us
最大直流栅极触发电流：	30 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大漏电流：	2 mA
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	16 A	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	TRIAC

BCR16CS-12LA 数据手册

BCR16CS-12LA

Latching Current vs.

Junction Temperature

Breakover Voltage vs.

Junction Temperature

10³

160

140

120

100

Typical Example

–

, G

Typical Example

Distribution

10²

10¹

–

, G

Typical Example

–

10⁰

–40

–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140

120

160

Junction Temperature (°C)

Breakover Voltage vs.

Rate of Rise of Off-State Voltage

Commutation Characteristics

160

140

120

100

Typical Example

Tj = 125°C

Time

Main Voltage

(dv/dt)c

Main Current

Typical Example

Tj = 125°C

I = 4A

τ = 500µs

(di/dt)c

Time

V = 200V

f = 3Hz

III Quadrant

10¹

Minimum

Characteristics

Value

I Quadrant

10⁰

III Quadrant

10¹2 3 5 7 10²2 3 5 7 10³2 3 5 7 10⁴

10⁰2 3 5 710¹2 3 5 710²2 3

Rate of Rise of Off-State Voltage (V/µs)

Rate of Decay of On-State

Commutating Current (A/ms)

Gate Trigger Current vs.

Gate Current Pulse Width

Gate Trigger Characteristics Test Circuits

10³

6Ω

Typical Example

FGT I

RGT I

RGT III

330Ω

10²

Test Procedure I

Test Procedure II

6Ω

10¹

330Ω

10⁰

3 4 5 7 10¹

3 4 5 7 10²

Gate Current Pulse Width (µs)

Test Procedure III

REJ03G0341-0300 Rev.3.00 Nov 30, 2007

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