BCR12PM-14LJ

更新时间： 2024-02-10 18:19:01

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瑞萨 - RENESAS		可控硅
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8页	111K
描述
700V - 12A - Triac Medium Power Use

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BCR12PM-14LJ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us
最大直流栅极触发电流：	30 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	2 mA	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	12 A
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

BCR12PM-14LJ 数据手册

BCR12PM-14LJ

Preliminary

Electrical Characteristics

Rated value

Symbo

Parameter

Unit

Test conditions

Min.

—

Typ.

—

Max.

2.0

Repetitive peak off-state current

On-state voltage

I_DRM

V_TM

Tj = 150C, V_DRMapplied

—

1.6

Tc = 25C, I_TM= 20 A,

instantaneous measurement

Gate trigger voltage^Note2









V_FGT

—

1.5

Tj = 25C, V_D= 6 V, R_L= 6 ,

R_G= 330 



V_RGT



V_RGT



Gate trigger curent^Note2

I_FGT

Tj = 25C, V_D= 6 V, R_L= 6 ,

R_G= 330 







I_RGT



I_RGT



Gate non-trigger voltage

V_GD

0.2

0.1

—

Tj = 125C, V_D= 1/2 V_DRM

Tj = 150C, V_D= 1/2 V_DRM

Junction to case^Note3

Tj = 125C

Thermal resistance

R_{th (j-c)}

4.0

—

C/W

V/s

Critical-rate of rise of off-state

commutation voltage^Note4

Notes: 1. Gate open.

(dv/dt)c

—

Tj = 150C

2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.

3. The contact thermal resistance R_{th (c-f)}in case of greasing is 0.5C/W.

4. Test conditions of the critical-rate of rise of off-state commutation voltage is shown in the table below.

5. Make sure that your finished product containing this device meets your safe isolation requirements.

For safety, it's advisable that heatsink is electrically floating.

Commutating voltage and current waveforms

Test conditions

(inductive load)

1. Junction temperature

Time

Supply Voltage

Tj = 125/150C

2. Rate of decay of on-state commutating current

(di/dt)c = –6.0A/ms

(di/dt)c

Time

Main Current

Main Voltage

3. Peak off-state voltage

V_D= 400 V

(dv/dt)c

R07DS0910EJ0100 Rev.1.00

Nov 14, 2012

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BCR12PM-14LJB00	RENESAS	700V - 12A - Triac Medium Power Use	获取价格
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