BCR119T

更新时间： 2024-01-16 10:01:26

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
NPN silicon Digital Transistor

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BCR119T 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCR119T 数据手册

BCR119.../SEMH7

NPN silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in resistor (R =4.7kΩ)

• For 6-PIN packages: two (galvanic) internal

isolated transistors with good matching

in one package

BCR119/F/L3

BCR119T/W

BCR119S

SEMH7

R₁

TR2

TR1

EHA07264

EHA07265

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BCR119

WKs

1=B 2=E 3=C

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT363

1=B 2=E 3=C

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

BCR119F

BCR119L3

BCR119S

BCR119T

BCR119W

SEMH7

SC75

SOT323

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666

May-17-2004

12 3 4 5 6 7...10

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