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BCR08AS-8

更新时间： 2024-01-05 12:38:20
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 栅极三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 104K
描述
LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR08AS-8 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：2 V/us最大直流栅极触发电流：5 mA
最大直流栅极触发电压：2 VJESD-30 代码：R-PSSO-F3
最大漏电流：1 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：0.8 A
断态重复峰值电压：400 V子类别：TRIACs
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BCR08AS-8 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC  
BCR08AS-8  
LOW POWER USE  
NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Min.  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.1  
—
Typ.  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Max.  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
5
mA  
V
IDRM  
Repetitive peak off-state current  
On-state voltage  
Tj=125°C, VDRM applied  
VTM  
Tc=25°C, ITM=1.2A, Instantaneous measurement  
!
@
#
$
!
@
#
$
VFGT !  
VRGT !  
VRGT #  
VFGT #  
IFGT !  
IRGT !  
IRGT #  
IFGT #  
VGD  
V
V
✽2  
Gate trigger voltage  
Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω  
V
V
mA  
mA  
mA  
mA  
V
5
✽2  
Gate trigger current  
Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω  
Tj=125°C, VD=1/2VDRM  
5
10  
—
Gate non-trigger voltage  
Thermal resistance  
✽4  
65  
Rth (j-a)  
Junction to case  
°C/W  
Critical-rate of rise of off-state  
commutating voltage  
✽3  
—
—
V/µs  
(dv/dt)c  
✽2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.  
✽3. The critical-rate of rise of the off-state commutating voltage is shown in the table below.  
✽4. Mounted on 25mm × 25mm × t0.7mm ceramic plate with solder.  
(dv/dt) c  
Voltage  
class  
VDRM  
(V)  
Commutating voltage and current waveforms  
(inductive load)  
Test conditions  
Min.  
Unit  
SUPPLY  
VOLTAGE  
TIME  
1. Junction temperature  
Tj=125°C  
(di/dt)c  
MAIN CURRENT  
2. Rate of decay of on-state commutating current  
(di/dt)c=–0.4A/ms  
8
400  
2
V/µs  
TIME  
TIME  
MAIN  
VOLTAGE  
3. Peak off-state voltage  
VD=400V  
(dv/dt)c  
VD  
PERFORMANCE CURVES  
MAXIMUM ON-STATE CHARACTERISTICS  
101  
RATED SURGE ON-STATE CURRENT  
10  
8
7
5
4
3
2
6
Tj = 125°C  
100  
7
5
4
4
Tj = 25°C  
3
2
2
10–1  
0
0
1
2
3
4
5
100  
2
3 4 5 7 101  
2
3 4 5 7 102  
ON-STATE VOLTAGE (V)  
CONDUCTION TIME  
(CYCLES AT 60Hz)  
Feb.1999  
12345

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