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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-73 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 1.43 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 145 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP52-10E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
1000mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| BCP52-10T | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction |
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| BCP5210TA | DIODES |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
|
| BCP52-10TA | DIODES |
获取价格 |
1A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| BCP52-10-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP52-10-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP52-10TC | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP5216 | DIODES |
获取价格 |
PNP, 60V, 1A, SOT223 |
|
| BCP5216 | STMICROELECTRONICS |
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LOW POWER PNP TRANSISTOR |
|
| BCP52-16 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) |
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