BCF29

更新时间： 2024-11-24 22:27:23

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管
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2页	124K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BCF29 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	Base Number Matches：	1

BCF29 数据手册

BCF 29, BFC 30

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BCF 29, BCF 30

32 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

32 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_BM

T_j

T_S

100 mA

150ꢀC

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I_E= 0, - V_CB= 32 V

- I_CB0

–

100 nA

10 ꢀA

I_E= 0, - V_CB= 32 V, T_j= 100ꢀC

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

I_C= 0, - V_EB= 5 V

- I_CB0

- I_EB0

–

100 nA

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ²)

- I_C= 10 mA, - I_B= 0.5 mA

- I_C= 100 mA, - I_B= 5 mA

- V_CEsat

–

80 mV

150 mV

300 mV

–

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BCF29R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCF29R-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCF29R-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BCF29-T	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
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BCF29TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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