| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.02 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC860CTR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC860CTRL | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BC860CTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC860CTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC860CW | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain |
|
| BC860CW | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BC860CW | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistors |
|
| BC860CW | KEXIN |
获取价格 |
PNP General Purpose Transistor |
|
| BC860CW | TYSEMI |
获取价格 |
Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 45 V). Collector-base voltage VCBO -30 |
|
| BC860CW | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP general purpose transistorsProduction |
|
中国AI需求爆发式增长 英伟达紧急加码30万片H20芯片订单
EDA巨头认罚1.4亿美元背后：美国芯片霸权下的中国企业生存
2025年半导体代工收入预计达1650亿美元
日本芯片代工厂JS Foundry濒临破产 激进扩张致负债161亿日元
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
