BC859A

更新时间： 2024-01-03 18:11:53

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英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器小信号双极晶体管光电二极管
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8页	275K
描述
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

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BC859A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC859A 数据手册

BC 856 ... BC 860

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

BC 856 BC 857 BC 858

BC 860 BC 859

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

CES

EB0

100

200

330

150

Peak collector current

Peak base current

Peak emitter current

Total power dissipation, T

Junction temperature

=71 ˚C

tot

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient¹⁾

th JA

th JS

≤ 310

≤ 240

K/W

Junction - soldering point

¹⁾Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

Semiconductor Group

123 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC859-A	SAMSUNG	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,	获取价格
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BC859A/E9	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23	获取价格
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