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BC859AT/R

更新时间: 2024-01-07 05:53:31
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 229K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA

BC859AT/R 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.09
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:5 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):220
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BC859AT/R 数据手册

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